| 新聞資訊 | 發(fā)布日期：2024-9-20 發(fā)布者：住野精工 |
一、影響蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜性能的因素
蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍涂層的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜的性能產(chǎn)生巨大的影響。
1.基材的選擇性
如前所述，蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠于SiOx涂層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞該涂層。蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜復合，制造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應(yīng)當注意如下幾個問題。
（1)塑料薄膜的類型
蒸鍍的氧化硅膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關(guān)系，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化硅間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化硅間的黏合力則比較差。
（2)塑料薄膜表面狀態(tài)
蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定于氧化硅鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學成分與結(jié)構(gòu)之外，所用基膜的表面平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍?nèi)毕�，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表面之間形成物理錨接，改善層間黏合力。
（3)塑料薄膜的表面預(yù)處理狀況
為了得到優(yōu)質(zhì)的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表面電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經(jīng)過表面電暈處理，可在其表面形成氧化層（通過交聯(lián)、臭氧化、羧基化、硝基化等多種復雜的化學反應(yīng)，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜的表面上），增大基膜與蒸鍍涂層之間的結(jié)合力。在預(yù)處理設(shè)備一定的情況下，如果預(yù)處理時間不足，表面改性不充分，將導致基膜與涂層之間的結(jié)合牢度下降；預(yù)處理時間過長，可能引起基膜較深層次的界面弱化，產(chǎn)生基膜自身的弱界面層，也會引起基材表面和蒸鍍層間的結(jié)合力下降。
2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜性能的影響
不論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化硅阻隔性包裝薄膜的性能產(chǎn)生顯著的影響，因此應(yīng)當盡可能采用有利于提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。
（1)采用物理蒸鍍時，
真空度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍涂層的厚度（決定于蒸鍍時間與蒸發(fā)功率）等均會影響最終產(chǎn)品的性能。
①蒸鍍時真空度越高，越有利于SiO2的蒸發(fā)，制得的蒸鍍膜的質(zhì)量越高。
②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利于蒸發(fā)的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的涂層并有利于提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結(jié)度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有利于提高蒸鍍薄膜的質(zhì)量。
③采用電子槍轟擊、蒸發(fā)SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時，易產(chǎn)生粉末濺射現(xiàn)象，影響蒸鍍膜的質(zhì)量，而粉狀SiO2則有利于電阻加熱蒸發(fā)。
④氧氣的導入速度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數(shù)與0原子數(shù)的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性有降低的趨勢。當x等于2時，得到阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層，通常x控制在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化硅薄膜。
蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降低生產(chǎn)線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。
（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應(yīng)與離子化氣氛中的離子化能量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優(yōu)良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍時則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。
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